特征

• ^{这使得 1 x 1016}原子/cm2或^更高的无损伤离子注入剥离和聚合物去除工艺成为可能，这对于关键的下一代晶圆工艺来说是必需的。
• 该腔室结构非常适合F类气体添加工艺，且无颗粒。因此，可配置各种工艺，从常规PR到离子注入剥离、有机膜剥离（PI、DFR等）、氧化膜蚀刻等。
• 通过采用简单的设备配置，我们同时实现了“出色的可维护性和可靠性”和“低成本”。
• 可以实现灵活的腔室配置（μ波、RIE、μ波+RIE），并且提供多种传输路径。
• 只需设定配方即可改变晶圆尺寸，从而极其轻松地改变晶圆尺寸。

目的

• ^{离子注入剥离工艺（超过 1 x 1016 个}原子/cm2 ^）和前端工艺中的聚合物去除
• 需要CF4_掺杂的晶圆工艺（电子元件、LED）
• 芯片尺寸封装及BUMP工艺
• CCD彩色滤光片制造工艺

规格