CC-200负载锁式等离子CVD系统体积小巧、使用方便，适用于从研发到生产的一系列应用。
特征
27.12MHz高密度等离子工艺 SiH4型：SiO2 、 SiNx、SiON、a-Si、TEOS型：SiO2薄膜可用 可用CF4 + O2等离子体进行腔室清洁 提供用于有机电致发光（EL）薄膜低温沉积的加热器 托盘运输可容纳多种基板尺寸 通过使用真空箱（溅射：CS-200，蒸发：CV-200），可以实现 C 系列之间的间接连续工艺。 目的