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海外进口ULVAC爱发科单晶圆复合模块式成膜设备
产品型号:uGmni-200
产品展商:ULVAC爱发科

通过将溅射、蚀刻等多个不同的工艺模块搭载于同一传送核心,并尽可能实现部件的标准化,从而减少备件数量,并通过统一的操作画面提高易用性,进一步实现电子元件制造工序的高效化。

详细介绍

通过将溅射、蚀刻等多个不同的工艺模块搭载于同一传送核心

并尽可能实现部件的标准化,从而减少备件数量

并通过统一的操作画面提高易用性,进一步实现电子元件制造工序的高效化

特征


  • 可以组合多个工艺室,包括溅射、蚀刻、灰化和 CVD。

    请注意,某些流程可能不兼容。

  • 所有工艺室均由 ULVAC 制造
  • 支持大φ300mm的基板
  • 目的

下面是一个例子。

  • 功率器件种子和金属层形成溅射
  • MEMS传感器PZT沉积和蚀刻
  • 光学器件VCSEL加工蚀刻
  • 高密度镶嵌除渣灰化
  • 通信设备绝缘薄膜沉积与加工 PE-CVD
  • 规格


以上为各工艺腔体的示例。
不限于以下情况,如有需要,请与我们联系。以下数值可能因规格而异。

极限压力 阶段
温度
面内分布
(参考值)
薄膜形成、加工或应用实例 等离子源
6.7E-5Pa以下 冷却(冷却性能另议)~700度 ±1 至 5% 金属、介电薄膜、绝缘薄膜 直流
脉冲直流
射频
蚀刻机 1.0E-3Pa以下 -20至200度 ±5% 或更小 金属、介电膜、绝缘膜、Si基
ISM
(带静磁场的ICP,我们的技术)
NLD
(中性环路放电)
厄舍 0.7Pa以下 50至250度 ±5% 除渣、除胶渣、牺牲层去除、表面改性、PR 去除、PI 处理 微波
20至80度 微波+CCP
聚乙烯化学气相沉积 2Pa以下 60至400度 ±1% 或更小 绝缘膜(SiNx、SiOx) 阳极耦合
双频